下世代記憶體技術趨勢與全球競合分析

       （台北訊）隨著電子系統產品往輕、薄、短、小、多（多功能）、省（省電）、廉（廉價）、快（快速）、美（美觀）等發展趨勢下，半導體技術朝向兩大方向發展。一是依照摩爾定律不斷製程微縮，二是高度半導體元件整合。國際半導體技術藍圖（ITRS）及國際記憶體大廠一致認為，主流記憶體DRAM及NAND Flash因元件特性及物理結構等先天問題，將在1xnm以下遇到製程微縮的重大挑戰與瓶頸。NAND Flash將在2013年進入1xnm，DRAM則在2017年進入1xnm，將嚴重影響其成本、容量及效能的發展情形。

        為了持續降低記憶體的單位成本、提升容量與增加效能，諸多新技術正在進行研發。而下世代記憶體（如PCM、RRAM、STT-MRAM）也有機會突破上述限制，從不同的材料與設計著手，並在2016~2021年有機會開始取代目前主流記憶體。

       全球都正積極布局下世代記憶體技術，未來競逐2020年1,000億美元的記憶體市場大餅，包括國際主要記憶體廠商（Samsung、Hynix、Toshiba）；非主要記憶體廠商（SONY、Panasonic、HP、Sharp）；中國大陸有中科院及民間企業進行下世代記憶體的研發，台灣則有半導體廠商、研發單位及學校等。全球下世代記憶體技術之戰已經開打，台灣亟需研擬布局策略，以加強上中下游之合作整合及跨國合作機會，以期許未來有能力競逐全球記憶體市場大餅。

        台灣具有的優勢包含專業垂直分工強、晶圓代工全球第一、專業封測全球第一、IC設計全球第二、客製化設計服務能力強、以及產學研積極研發下世代記憶體並與國際同步。在競爭分析後，台灣可思考的策略方向有四：其一，要追求符合優勢的機會，主攻Embedded-Memory差異化SoC產品，並催生跨國「虛擬一條龍」的整合。其二、要克服劣勢追求機會，成立Stand-alone下世代記憶體跨國技術研發聯盟以推動廠商間充分互補合作並分散風險。其三，要以優勢降低外部環境變化之 威脅，結合新興應用，開發利基型小而美Embedded SoC產品。其四，要防範外部環境的威脅直接命中劣勢，結合中國，共同開發利基型小而美Stand-alone產品。

       以上節錄自「下世代記憶體技術趨勢與全球競合分析」，歡迎有興趣者與本會董小姐聯絡 (電話: 02-2325-6800分機821)。

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